面对信息社会不断增长的海量数据信息处理需求，团队聚焦后摩尔时代集成电路关键材料，重点研究材料生长、器件构筑、电路设计等内容，着力解决硅材料性能极限导致的集成电路算力增长瓶颈。原子级厚度的二维材料具有优异的结构特性、丰富的物理化学性质以及独特的范德华组装自由度，是后摩尔时代集成电路的最具潜力新材料之一。为验证二维材料在后摩尔时代集成电路应用的可行性，主要开展如下几方面研究：

   一、 二维材料的可控合成与精细表征：发展二维材料及范德华异质结的高质量晶圆级可控制备技术，建立新型二维材料与器件的高分辨表征和性能模拟计算方法；

  二、 二维材料范德华集成与逻辑器件应用：建立可充分发挥二维材料优势的范德华集成技术，研制新型高算力、多功能、低功耗的二维材料范德华逻辑器件、光电器件与集成电路；

   三、 与硅基兼容的器件制造工艺与电路设计：探索与硅基兼容的标准化器件制造工艺，推动新型二维器件与传统硅基集成电路产业的有机融合，发展二维器件逻辑功能互联架构。