研究成果

北科大廖庆亮、张跃Advanced Optical Materials:缺陷钝化与能级调控用于高探测度和稳定的CsPbBr2I QDs光电探测器

发布时间:2023-03-15

       高探测度和稳定的光电探测器(PDs)一直是无线光通信领域的关注焦点,其中钙钛矿材料因其优异的光电性能成为极具前景的候选材料。其中,钙钛矿量子点不但保持了块体钙钛矿的卓越性能,还因量子限制效应、超越Shockley-Queisser(SQ)效率极限等优点表现出增强的光吸收性能,成为光电探测领域的研究热点。但是在钙钛矿量子点中,由于缺陷的形成能较低,在晶体结构中容易产生卤化物阴离子和阳离子缺陷,这些缺陷被认为会对器件稳定性和暗电流产生负面影响。此外,钙钛矿与空穴传输层(HTL)之间的能级不匹配会导致不良的载流子重组,从而难以实现高稳定和高探测度的光电探测器。

       本章发展了三氟乙酸钾(KTFA)的表面调控策略,提升CsPbBr2I量子点的光吸收能力和晶体质量。阐明了KTFA的表面调控策略对缺陷化学的改善作用,有效抑制非辐射复合,钝化铅空位,显著降低钙钛矿的缺陷态密度。揭示了该策略对缓解能带失配的有效贡献,证实了该策略增大了内建电势,为载流子传输提供了更大的内在驱动力,有效改善能带对齐,提升空穴传输能力。

       构建了自驱动高探测度光电探测器,实现了对暗电流的抑制作用,将光电探测器的探测度提升至1.12×1013 Jones,还实现了0.375A/W的响应度和3.8 ms的响应速度;将光电探测器的适用温域拓宽至-18 ℃-80 ℃,有效提高器件的再现性与稳定性。


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图1:不同浓度KTFA调控前后钙钛矿的光学性质和缺陷态分析(a)UV-vis光谱;(b)PL光谱;(c)TRPL光谱;(d)黑暗状态以及不同光照强度下薄膜的表面电势;(e)表面电势随光强变化;(f)钙钛矿表面的能带示意图;(g)缺陷态密度


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图2:光电探测器的能级排列:(a)接触前;(b)接触后;(c)光照条件下;(d)光电探测器的莫特-肖特基曲线;(e)UPS能谱图;(f)能级排列示意图


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图3:光电探测器的光响应性能:(a)柔性光电探测器示意图;(b)不同浓度KTFA调控前后器件在黑暗状态下的I-V曲线;(c)不同浓度KTFA调控前后器件在光照条件下的I-V曲线;5%KCQDs光电探测器的光响应性能:(d)不同入射光强下的I-V图谱;(e)响应度和探测度随电压变化;(f)在0 V、0.5 V、1 V偏压下的开关比;(g)光电流和入射光强度的线性关系;(h)循环曲线;(i)上升时间和下降时间


论文信息:

Defect Passivation and Energy Level Modulation of CsPbBr2I QDs for High-Detectivity and Stable Photodetectors

Jiayi Sun, Xuan Zhao, Haonan Si, Fangfang Gao, Bin Zhao, Tian Ouyang, Qi Li, Qingliang Liao,* and Yue Zhang*

Advanced Optical Materials

DOI: 10.1002/adom.202202877