随着物联网、人工智能、云计算等技术不断普及，要求计算机亟须提高数据处理能力。由于硅材料的物理极限，使得依靠缩小晶体管尺寸，增加集成度以提高集成电路算力的发展路线面临着巨大的挑战。为了满足下一代集成电路的算力需求，迫切需要开发新材料与新架构器件。紧凑化设计二维TMDCs高算力晶体管，在实现相同的逻辑运算能力下大大减少晶体管数量，将推动下一代集成电路高算力发展。鉴于此，本文章从材料选择、器件结构设计和电路优化多方面、多层次回顾了二维TMDCs高算力晶体管的应用进展，并详细分析了其实现从实验室到半导体产业应用的瓶颈制约。鉴于TMDCs晶体管已经在逻辑器件中已展现出优化电路复杂度和高效计算的优势，提出了设计高算力晶体管推动下一代集成电路发展的关键路径。

图1 集成电路算力的发展与需求

Two-dimensional transition metal dichalcogenides for post-silicon electronics

Xiankun Zhang, Hang Zhao, Xiaofu Wei, Yanzhe Zhang, Zheng Zhang,* and Yue Zhang*

DOI: 10.1360/nso/20230015

原文链接: http://www.sciengine.com/doi/10.1360/nso/20230015