名称：        原子层沉积设备                         型号：        TALD-100A

产地：        浙江嘉兴                                   生产厂家： 嘉兴科民电子设备技术有限公司

购买日期： 2020.12.18                                联系人：    张铮  

联系邮箱： zhangzheng@ustb.edu.cn       联系电话： 010-62334725  

放置地点： 工程实践楼一期 超净间  

主要规格及技术指标

1. 镀膜均匀性：在4英寸晶圆上沉积氧化铝，膜厚不均匀性≤±1%；沉积其他高κ氧化物膜厚不均匀性≤ ± 2%；2. 极限真空＜ 5×10-6 Torr，真空漏率＜5×10-7 Pa*L/s；3. 前驱体源：2 路标准加热液态前驱体源，1路常温源，含两路载气系统；4. 反应温度：室温-300 ℃，精度为±1℃。

主要功能及特色

1. 高κ金属氧化物薄膜的制备，薄膜厚度可实现纳米级控制。