仪器名称：              原子层沉积系统                        仪器型号：TALD-200D

产地：                          浙江嘉兴                             生产厂家：科民电子

购买日期：                 2023/12/1                            分类标签：材料制备

联系人：                       于慧慧                                 联系电话：010-62334725

放置地点：              鼎新楼A座521

主要规格及技术指标：

1.反应腔室系统：适用 8 英寸基片，向下兼容；反应最高温度 500℃。

2.前驱体源系统：3 路可加热 MO 前驱体直通液态源、1 路非金属直通源，源瓶及管路加热温度 RT-200℃（控制精度 ±1℃）；内置氧气源臭氧发生器，预留 1 

个气路接口；具备在线清洗功能。

3.真空系统：极限真空＜5E-3Torr，真空漏率＜5E-7 Pa・L/S，配置额定抽速≥100m³/h 的工艺干泵；真空泵前级设热阱（加热最高 500℃，控制精度 ±1℃）。

主要功能及特色

主要用于在各种基底表面生长氧化物，主要用于高质量HfO2、Al2O3、ZrO2等介电材料生长，也可以用于SnO2、TiO2等半导体氧化物。