工作和教育经历：

2023.03至今            北京科技大学，前沿交叉科学技术研究院，博士后

2016.09~2023.01，北京科技大学，材料科学与工程学院，博士

2012.09~2016.07，北京科技大学，数理学院，学士

研究方向：

1. 低维材料制备与服役性能；

2. 低维材料范德华电子器件；

3. 低维材料光电器件。

主要科研成果：

   近五年发表一区Top论文12篇，申请国家专利2项，授权1项。参与国家自然科学基金项目2项。获北京科技大学三好毕业生及中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛北京赛区复赛产业命题赛道二等奖。

代表性论文：

1. HONG M, MENG J, YU H, DU J, OU Y, LIAO Q, KANG Z, ZHANG Z, ZHANG Y. Ultra-stable ZnO nanobelts in electrochemical environments [J]. Materials Chemistry Frontiers, 2021, 5(1): 430-7.

2. SUN M, YU B, HONG M, LI Z, LYU F, LI X, LI Z, WEI X, ZHANG Z, ZHANG Y, CHEN Q. Controlling the Facet of ZnO during Wet Chemical Etching Its (0001) O-Terminated Surface [J]. Small, 2020, 16(14): e1906435. 已发表. SCI刊源. SCI检索. WOS:000601317000013.

3. DU J, LIAO Q, HONG M, LIU B, ZHANG X, YU H, XIAO J, GAO L, GAO F, KANG Z, ZHANG Z, ZHANG Y. Piezotronic effect on interfacial charge modulation in mixed-dimensional Van der Waals heterostructure for ultrasensitive flexible photodetectors [J]. Nano Energy, 2019, 58(85-93.

4. ZHANG X, YU H, TANG W, WEI X, GAO L, HONG M, LIAO Q, KANG Z, ZHANG Z, ZHANG Y. All-van-der-Waals Barrier-Free Contacts for High-Mobility Transistors [J]. Advanced Materials, 2022, 34(34): e2109521.

5. TANG W, ZHANG X, YU H, GAO L, ZHANG Q, WEI X, HONG M, GU L, LIAO Q, KANG Z, ZHANG Z, ZHANG Y. A van der Waals Ferroelectric Tunnel Junction for Ultrahigh-Temperature Operation Memory [J]. Small Methods, 2022, 6(4): e2101583.

6. LIU B, ZHANG X, DU J, XIAO J, YU H, HONG M, GAO L, OU Y, KANG Z, LIAO Q, ZHANG Z, ZHANG Y. Synergistic-engineered van der Waals photodiodes with high efficiency [J]. InfoMat, 2022, 4(3).