工作和教育经历：

2024.06至今          北京科技大学，前沿交叉科学技术研究院，工程师

2020.09~2024.06  北京科技大学，前沿交叉科学技术研究院，博士

2017.09~2020.06  北京科技大学，材料科学与工程学院，硕士

2012.09~2016.06  西南石油大学，材料科学与工程学院，学士

研究方向：

1. 二维半导体材料的原子级可控合成

2. 二维半导体创新型器件结构设计

3. 二维半导体低功耗逻辑电路集成

主要科研成果：

近五年以第一作者身份在Nat. Electron.上发表论文1篇，以共同作者身份在Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., J. Am. Chem. Soc.等期刊上发表论文10篇，授权发明专利3项。荣获北京科技大学第十八届校长奖章、北京市优秀毕业生、校级优秀博士学位论文、院级学术之星等荣誉/奖项。

代表性论文：

1. WEI X., ZHANG X., YU H., GAO L., TANG W., HONG M., CHEN Z., KANG Z., ZHANG Z., ZHANG Y. Homojunction-loaded inverters based on self-biased molybdenum disulfide transistors for sub-picowatt computing [J]. Nature Electronics, 2024, 7(2): 138-46.

2. ZHANG X., YU H., TANG W., WEI X., GAO L., HONG M., LIAO Q., KANG Z., ZHANG Z., ZHANG Y. All-van-der-Waals barrier-free contacts for high-mobility transistors [J]. Advanced Materials, 2022, 34(34): 2109521.

3. ZENG H., YU H., LIU B., LU S., WEI X., GAO L., HONG M., ZHANG X., ZHANG Z., ZHANG Y. Gradient-strained van der Waals heterojunctions for high-efficient photodetectors [J]. Advanced Functional Materials, 2024, 2400712.