工作和教育经历：

      2026年1月-至今，北京科技大学，前沿交叉科学技术研究院，特聘教授

      2023年1月-2025年12月，北京大学，材料科学与工程学院，博士后

      2019年9月-2022年12月, 北京科技大学，材料科学与工程学院，博士

      2016年9月-2019年1月，北京科技大学，材料科学与工程学院，硕士

      2012年9月-2016年6月，天津工业大学，材料科学与工程学院，学士

研究方向：

       1. 二维半导体材料制备与结构缺陷调控

       2. 高性能二维晶体管设计构筑

       3. 二维晶体管可靠性、硅基兼容性优化

主要科研成果：

      长期从事二维半导体材料与器件研究。近几年，以二维TMDs半导体为主要研究对象，聚焦MoS2、WS2和WSe2材料体系，在高质量材料制备、材料缺陷控制、金半接触结构设计与性能优化、高性能晶体管设计构筑等方面取得了系统性研究成果。发表相关学术论文24篇，其中以第一/共同第一作者身份在Science、Advanced Materials等期刊发表论文7篇，以合作者身份在Nature Materials、Nature electronics、Nature communications等期刊发表论文17篇；申请中国发明专利5项，授权3项；参与撰写英文专著《Van der Waals Heterostructures-Fabrications, Properties and Applications》一部；获得北京市自然科学二等奖一项。主持国家自然科学基金青年科学基金项目、中国博士后科学基金特别资助（站前）、中国博士后科学基金面上项目。

代表性论文：

1. Gao Li, Chen Zhangyi, Fang Zhenghui, Lu Shucao, Wei Xiaofu, Jiang He, Chen Kuanglei, He Xiaoyu, Chen Chao, ShangGuan Wei, Shang Jinsen, Yu Huihui, Hong Mengyu, He Yang,Zhang Xiankun, Zhang Zheng, Zhang Yue, Atomic layer bonding contacts in two-dimensional semiconductors. Science 2025, 390, 6775, 813-818.

2. Gao Li, Liao Qingliang, Zhang Xiankun, Liu Xiaozhi, Gu Lin, Liu Baishan, Du Juli, Ou Yang, Xiao Jiankun, Kang Zhuo, Zhang Zheng, Zhang Yue. Defect‐engineered atomically thin MoS2 homogeneous electronics for logic inverters. Advanced Materials, 2020, 32(2): 1906646

3. Gao Li, Zhang Xiankun, Yu Huihui, Hong Mengyu, Wei Xiaofu, Chen Zhangyi, Zhang Qinghua, Liao Qingliang, Zhang Zheng, Zhang Yue. Deciphering vacancy defect evolution of 2D MoS2 for reliable transistors. ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 15(32): 38603-38611

4. Gao Li, Chen Zhangyi, Chen Chao, Zhang Xiankun, Zhang Zheng, Zhang Yue. Silicon-processes-compatible contact engineering for two-dimensional materials integrated circuits. Nano Research, 2023, 16(11): 12471-124904. 

5. Gao Li, Xu Yuting, Chen Zhangyi, Zhang Maosen, Zhang Xiankun, Zhang Zheng and, Zhang Yue. Strain technology of two-dimensional semiconductors for industrial electronics. Science China materials, 2025, 68, 2623–2635

6.Zhang Xiankun, Kang Zhuo, Gao Li (co-first author), Liu Baishan, Yu Huihui, Liao Qingliang, Zhang Zheng, Zhang Yue. Molecule‐Upgraded van der Waals Contacts for Schottky‐Barrier‐Free Electronics. Advanced Materials 2021, 33, 2104935

7.Huang Jinlin, Gao Li (co-first author), Chen Zhangyi, Jia Zeen, Lin Yuyin, Hong Mengyu, Yu Huihui, Zhang Xiankun, Zhang Zheng, Zhang Yue. Ultrahigh thermal-stable p-type WSe2 transistors by silicon-processes-compatible metal-semiconductor contacts. Science China Information Sciences. 2026, 69, 3, 132402:1-132402:9.