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喜报 | 我院2022级博士研究生陈章毅荣登《人民日报》!

发布时间:2026-05-09
 

         

2026年5月4日、5日

《人民日报》刊发了

2024—2025学年度

国家奖学金获奖学生代表名录

我院材料科学与工程专业

2022级博士研究生陈章毅

荣登名录!


         


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陈章毅:北京科技大学前沿交叉科学技术研究院材料科学与工程专业2022级博士研究生,中共党员。专注面向1纳米先进制程芯片制造的高性能二维半导体器件研发,发表SCI期刊论文7篇,其中以共同第一作者在Science发表论文1篇。入选中国科协青年科技人才培育工程博士生专项计划。

   

2022级博士研究生 陈章毅

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陈章毅,中共党员,前沿交叉科学技术研究院材料科学与工程专业2022级博士研究生。曾获研究生国家奖学金、本科生国家奖学金(两次)、国家励志奖学金、伟哲奖学金、北京市优秀毕业生、校级优秀三好学生(两次)等奖项荣誉。曾获第十二届铸造工艺设计赛全国三等奖、第三十六届全国大学生物理竞赛北京市二等奖、高社杯全国大学生数学建模竞赛北京市一等奖等竞赛奖项。并入选2025年中国科协青年科技人才培育工程博士生专项计划。累计发表高水平SCI论文7篇,其中以共同第一作者身份在《Science》期刊发表论文一篇,在Nature Electronics、Nature Communications、Nano Research 等期刊发表论文6篇。



             


深研理论,夯实根基


在学术道路上,陈章毅深知厚积薄发的重要性。进入博士阶段后,他潜心深耕学术前沿,于浩如烟海的文献中上下求索,精准定位自己的研究方法。当前,摩尔定律面临终极挑战,二维半导体以其原子级厚度、优异电学性能和丰富能带调控特性,成为延续信息技术发展的关键路径之一。他坚信纳米科技的本质是交叉融合,要在这一前沿领域有所建树,必须构建跨越多学科的深层知识体系。为此,他深入钻研《半导体器件物理》《半导体材料与器件表征》等高难度课程,并注重将书本理论与二维半导体材料、器件的实际研究相关联。经过系统学习,他练就扎实的专业功底,为后续科研工作筑牢坚实根基。

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攻坚克难,追求卓越


面对二维半导体器件领域的核心难题——金属-半导体接触问题,以及实验室电子束曝光设备仅30kV加速电压的局限,陈章毅从未退缩,从曝光参数调试到光刻胶选择,逐一攻克工艺细节,历经上百次实验、耗时一年,首次实现50纳米以下尺度的稳定加工,为后续科研攻关打通技术通道。他设计构筑的二维半导体原子层键合接触,将MoS₂晶体管接触电阻降至70Ω·μm,热稳定性提升至400℃,一举刷新开态电流与高温稳定性的行业纪录,满足了后端工艺集成的工业需求。这项突破性成果以共同第一作者身份被《Science》接收,用实力诠释“在原子尺度追求卓越”的科研信念。

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甘为人梯,传承薪火


优秀的科研工作者,既要在科研攻关中担当作为,也要在服务奉献中发光发热。作为实验室电子束/热蒸镀设备负责人,陈章毅主动扛起设备维护、操作培训等重任,细致排查每一处安全隐患,确保设备24小时稳定运行和实验的正常开展。他还主动包揽实验室化学药品采购工作,提前预判常用试剂的消耗情况,确保实验用品供应不断档。对于新加入的师弟师妹,他毫无保留地分享仪器操作规范、数据分析技巧,耐心指导本科毕业设计与国家级SRTP项目团队,以言传身教传承科研火种。

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他是锤炼综合能力的奋进者

是深耕科研领域的求索者

更是让实践与学术双向赋能的青年榜样

未来

陈章毅将继续在科研道路上

努力前行,勇攀高峰

书写更多奋进篇章!



           


内容来源:北京科技大学