2024年10月18日下午，北京大学彤程材料科学论坛第四十九讲在北京大学图书馆科学报告厅如期举行。中国科学院院士、发展中国家科学院院士、北京科技大学新金属材料国家重点实验室主任、前沿交叉科学技术研究院院长张跃院士出席论坛，并带来题为“后摩尔时代‘芯’未来——先进制程二维半导体晶圆制造与芯片集成”的主题报告。北京大学材料科学与工程学院副院长周欢萍教授主持并致欢迎辞。

张跃院士作报告

 张跃院士首先介绍了前沿交叉科学技术研究院的五大研究方向，涵盖了未来芯片二维半导体材料与器件、类脑感知材料与系统集成、绿色可持续能源材料与装备、先进装备设计与制造及特种功能材料与器件，展现了研究院在科技创新领域的广泛布局和深远影响。

报告会现场

 随后，张跃院士深入探讨了后摩尔时代芯片技术的未来发展，其报告分为三大板块：“中国‘芯’路在何方”、“中国‘芯’未来：二维半导体材料新赛道”以及“二维半导体‘芯’赛道的探索与实践”。他指出，先进制程集成电路与高端芯片是国家竞争力的关键所在，而我国在先进制程芯片领域仍面临核心技术缺乏的挑战。为此，打造面向1nm制程的二维半导体材料新赛道，成为我国实现战略反制、突破技术封锁的“芯”路。

报告会现场

 张跃院士强调，二维过渡金属硫族化合物半导体材料，如MoS2，是未来最受关注的集成电路新材料之一，具有显著的结构、性能和器件优势，是突破先进制程集成电路尺寸微缩极限的关键。我国已在该领域国际竞争中抢占先机，目前正处于产业化关键阶段，需集中力量攻克核心技术，掌握全链条关键技术。报告还详细阐述了我国在二维半导体材料应用突破上所面临的技术挑战与关键问题，包括晶圆级高质量材料制备、器件构筑与电路设计、标准化器件集成工艺等。

 报告结束后，周欢萍教授为张跃院士颁发了彤程材料科学论坛授课证书，并合影留念。

合影留念