4月23日，由国家科技部指导，京津冀国家技术创新中心、中国产学研融合创新体系研究中心、上海颠覆性技术创新中心、广州颠覆性技术创新中心共同主办，北京科技大学、嘉兴科民电子设备工程中心、南京大学、北京大学共同支持的“2024北京二维材料集成电路颠覆性项目链技术交流专题会”（简称“前沿技术大讲堂”）在我院召开。来自二维材料、集成电路、光电研究、智能制造等相关领域的数十名专家学者、研究人员、企业代表、高校师生共聚一堂，共话原始创新。

张跃院士致辞

  中国科学院院士、发展中国家科学院院士、前沿交叉科学技术研究院院长、新金属材料国家重点实验室主任张跃院士致开幕辞。他对各位嘉宾的到来表示欢迎，并指出此次专题会不仅是技术交流的平台，更是集结智慧、共谋发展的盛会。在全球科技竞争加剧的背景下，二维材料在集成电路等领域的应用研究至关重要，要紧密结合国家重大战略需求，布局二维材料新赛道，紧跟领域动态，抢占科技先机。深入探索二维材料的制备技术、性能优化及器件设计，以期在芯片制造等前沿交叉科学技术领域取得重大突破。希望通过此次会议加深企业与高校的合作，共同推动二维材料集成电路领域的创新与发展。

白树林发言

  京津冀国家技术创新中心高级创新师白树林介绍了前沿技术大讲堂的设立背景和组织形式，期望通过前沿技术大讲堂搭建高水平交流平台，汇聚创新思想，明晰创新方向，凝聚创新共识，弘扬创新精神，为提升科技创新增长引擎能力和形成新质生产力提供方向指引。

王茤祥作主旨报告

  京津冀国家技术创新中心王茤祥主任作“国家颠覆性技术创新组织模式与实践”主旨报告，重点讲解了组织国家颠覆性技术创新的工作范式以及取得的部分代表性成果，希望与各位专家学者加强合作，共同培育更多原创性、颠覆性技术，抢占科技战略制高点。

特邀专家作报告

  本次前沿技术大讲堂围绕二维材料集成电路的装备、材料生长、器件及电路的技术发展趋势、研究最新进展、挑战与机遇，集成电路企业合作等多个维度进行交流探讨。北京科技大学前沿交叉科学技术研究院常务副院长廖庆亮教授首先对前沿交叉科学技术研究院进行了详细介绍；中国科学院微电子所研究员夏洋以“下一代集成电路二维材料大尺寸生长装备”为题进行报告；南京大学王欣然教授以“突破短沟道效应二维半导体器件与逻辑电路”为题进行报告；北京大学叶堉教授以“垂直制造二维材料三维SRAM存储电路”为题进行报告、北京科技大学前沿交叉科学技术研究院副院长张铮教授以“先进制程集成电路二维半导体材料的技术挑战与发展趋势”为题进行报告。

研讨交流现场

  会议期间召开专题研讨会，与会专家围绕二维材料的制备技术、性能优化、应用领域拓展以及未来发展趋势等主题进行深入交流。探讨行业发展的市场痛点、机遇挑战及突破路径，为国内该领域前沿技术、颠覆性技术和项目布局提出战略性建议。最后，张铮副院长带领与会专家参观了前沿交叉科学技术研究院各研究中心实验室，介绍了研究院在前沿交叉科学技术领域取得的科技创新成果和最新研究进展。

参观实验室

  “前沿技术大讲堂”秉承“因创新而无限、因共享而永恒”的理念，聚焦二维材料及集成电路发展前沿性、颠覆性创新，汇聚创新思想，明晰创新方向，凝聚创新共识，弘扬创新精神，为提升科技创新增长引擎能力和发展新质生产力提供方向指引。本次前沿技术大讲堂思潮激荡、精彩纷呈，与会专家主题报告提纲挈领、亮点频现，为技术创新和产业发展提供了前瞻性思想，参会专家、师生及企业反响热烈。

专家合影