淮北市委书记覃卫国一行来我院调研交流
北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平一行来我院调研交流
“前沿技术大讲堂”2024北京二维材料集成电路颠覆性项目链技术交流专题会在我院召开
24-04
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生调剂生复试成绩和拟录取名单公示
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生一志愿拟录取名单公示
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生调剂工作方案
前沿交叉科学技术研究院关于调整2024年部分专业招生计划的公告
关于前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生招生复试成绩公示的通知
随着光电子器件小型化、高集成化、高灵敏度的发展趋势,超薄2D过渡金属硫族化合物(TMDCs)材料由于具有强的光-物质相互作用和巨大的机械柔韧性而得到了广泛的探索。为了最大限度地提高2D TMDCs光电探测器的光电转换效率,通常采用具有高内建势垒的异质结来提高光生载流子的分离效率。考虑到大多数材料的能带不能很好地匹配,有必要引入有效的能带调制策略。
随着物联网、人工智能、云计算等技术不断普及,要求计算机亟须提高数据处理能力。由于硅材料的物理极限,使得依靠缩小晶体管尺寸,增加集成度以提高集成电路算力的发展路线面临着巨大的挑战。为了满足下一代集成电路的算力需求,迫切需要开发新材料与新架构器件。
集成电路经历了七十余年的飞速发展,芯片实现了单一功能向多功能的延伸,给人们生产生活方式带来了变革性进步。现今,互联网的高速发展及5G通讯的成功研发使电子信息数据呈爆发式的指数增长,进而推动了下一代芯片在数据处理速率上更高需求。提高芯片数据处理能力最直接的方法,即缩小组成芯片的最小单元——晶体管的几何尺寸,来提高芯片当中的晶体管数量,可以实现更快的数据处理速率。
北京科技大学前沿交叉科学技术研究院张铮教授、张跃院士团队聚焦二维过渡金属硫族化合物材料在集成电路的应用需求,瞄准这类材料无法实现稳定的低功耗CMOS器件架构的关键问题和挑战,另辟蹊径,提出了通过设计范德华气隙势垒同质结,创新构筑同质结负载型“Pseudo-CMOS”反相器架构的思想,实现了静态功耗低至亚皮瓦级的逻辑计算功能。