张跃院士出席新时代高校“钢筋铁骨”育人共同体联合行动大会并做主题分享
中国医学科学院北京协和医院吴南主任一行来我院调研交流
兰州理工大学党委书记夏天东一行来我院参观调研
24-04
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生调剂生复试成绩和拟录取名单公示
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生一志愿拟录取名单公示
前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生调剂工作方案
前沿交叉科学技术研究院关于调整2024年部分专业招生计划的公告
关于前沿交叉科学技术研究院2024年硕士研究生招生复试成绩公示的通知
随着物联网、人工智能、云计算等技术不断普及,要求计算机亟须提高数据处理能力。由于硅材料的物理极限,使得依靠缩小晶体管尺寸,增加集成度以提高集成电路算力的发展路线面临着巨大的挑战。为了满足下一代集成电路的算力需求,迫切需要开发新材料与新架构器件。
集成电路经历了七十余年的飞速发展,芯片实现了单一功能向多功能的延伸,给人们生产生活方式带来了变革性进步。现今,互联网的高速发展及5G通讯的成功研发使电子信息数据呈爆发式的指数增长,进而推动了下一代芯片在数据处理速率上更高需求。提高芯片数据处理能力最直接的方法,即缩小组成芯片的最小单元——晶体管的几何尺寸,来提高芯片当中的晶体管数量,可以实现更快的数据处理速率。
北京科技大学前沿交叉科学技术研究院张铮教授、张跃院士团队聚焦二维过渡金属硫族化合物材料在集成电路的应用需求,瞄准这类材料无法实现稳定的低功耗CMOS器件架构的关键问题和挑战,另辟蹊径,提出了通过设计范德华气隙势垒同质结,创新构筑同质结负载型“Pseudo-CMOS”反相器架构的思想,实现了静态功耗低至亚皮瓦级的逻辑计算功能。
传统自驱动紫外光探测器由于电荷利用率不足,难以用于高通量紫外光通信。针对这一难题,我们通过将大片层的Ti3C2Tx纳米片作为添加剂掺入PEDOT:PSS,合成了Ti3C2Tx@PEDOT:PSS复合材料。随后将其旋涂在磁控溅射法制备的ZnO薄膜上,构筑成 ZnO/Ti3C2Tx@PEDOT:PSS 自驱动紫外光探测器。